隨著晶體管尺寸的不斷微縮,晶圓制造工藝日益復雜,對半導體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
清洗工藝是貫穿整個半導體制造的重要環(huán)節(jié),是影響半導體器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造過程中,任何的沾污都可能影響半導體器件的性能,甚至引起失效。因此,幾乎在芯片制造的每一道工序前后,都需要進行清洗工藝,去除表面的污染物,保證晶圓表面的潔凈度,尤其在拋光、刻蝕等工藝后,晶圓表面會附著一些顆粒、金屬、有機物、自然氧化層等雜質(zhì)
但清洗對象千變?nèi)f化,可以遇到的材質(zhì)種類也非常復雜,我們無法用一兩種清潔劑滿足所有材質(zhì)的清洗**性,則清潔劑的組分設計以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu),就必須充分考慮不同類型的設備所包含材料的材質(zhì)特性,保證清潔劑在正確使用時,對所清洗對象的材質(zhì)沒有損傷。
清洗劑的濃度與清洗效果有很大的關(guān)系,一般隨著濃度的增加,去污能力也相應的增強,但達到一定濃度后,去污能力不再明顯提高。一般濃度控制在3%-5%為宜。
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